美司法部起诉中国商人涉盗取通用电气商业机密

美国司法部2月26日发表声明指,现年64岁居住在香港的中国商人吴志龙(Chi Lung Winsman
Ng、音译)于25日遭到起诉。他被指涉嫌在2017至2018年期间,串谋窃取通用电气(General
Electric)的半导体技术及商业机密。

美国司法部国家安全事务助理部长德默斯(John
C. Demers)表示,“吴志龙和他的同谋者被指选择窃取他们缺乏时间、人才或金钱创造的东西。为了外国公司的利益而窃取美国知识产权,剥夺了美国公司的创意成果,剥夺了美国工人的工作。司法部将尽其所能,破坏这种非法的、破坏经济的行为。”

检方的起诉书称,大约在2017年3月至2018年1月期间,吴志龙和至少一名同谋策划开发一项业务,利用从通用电气公司窃取的商业机密生产和销售碳化硅MOSFET。据悉,碳化硅MOSFET,即碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种小型的电子半导体/开关,可以调节电力在设备中的流动,用于各种产品当中。

起诉书称,吴与至少另外一人合谋,后者是一名在通用电气公司工作了7年多的工程师。他们被指同谋窃取了该公司的碳化硅MOSFET商业机密和其他专有信息。吴和同谋1号利用这些商业秘密制定了一份商业计划,并制作了PowerPoint演示文稿,交给潜在的投资者。二人向潜在投资者表示,他们的企业可以在三年内盈利,并估价将拥有有形和无形资产价值1亿美元。

作为该计划的一部分,二人寻求约3000万美元的资金投资,以换取他们的创业公司的所有权股份。据称,2017年8月,吴和同案犯1号在中国会面,并向一家考虑向其初创公司提供资金的中国投资公司作了介绍。美国司法部称,“我们没有证据表明存在向任何中国公司非法转让MOSFET技术的情况,包括吴和他的同谋试图成立的公司”。目前吴志龙尚未被美方逮捕。如果这一罪名成立,他将面临最高10年的监禁和最高25万美元的罚款。

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